檢索結果：共3筆資料 檢索策略： "none".ecommittee (精準) and year="101" and cadvisor.raw="陳良益"
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本研究目的為藉著製備多維度結構基板，以應用於表面增幅拉曼光譜分析上。不同以往，早期表面增幅拉曼基板大多是將金屬奈米粒子製備於平面基板上，但本研究以傾斜-撈取法技術可簡易製備出規則排列的聚苯乙烯奈米球…
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在本研究中所探討的四元化合物半導體材料-硫硒化銅錫的能帶間隙因相似於硫(硒)化銅鋅錫，且其導帶之位置高於水的還原電位，因此適合做為以光進行水分解產生氫氣的電極材料。此外，受到量子侷限效應的影響，一維…
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硒硫化銅鋅錫奈米晶體為 p 型直接能隙半導體，具有低成本、毒性較低、吸收係數高(>104 cm-1)等特性。由於其能隙值約為1.0~1.7 eV，因此適合應用於薄膜太陽能電池吸收層。在本研究以醋酸銅…